パワーMOSFETを放熱版に取り付ける

最近の大電流パワーMOSFETは、放熱板がむき出しでドレインになっているの物が多いので、放熱板は、NchとPchで別々にして放熱板とパワーMOSFETを絶縁せずに、放熱効果を高められるように取り付け方を変更した。

左がNch用の放熱板で右がPch用の放熱板。作った正負2電圧の電源は、バンドギャップリファレンス付近の1.2V位までしか電圧を下げられない。Vdsが1.2Vも有るとVgsが10Vだと数十アンペア流れてしまうので、怖くて実験を続けられない。

今日は、ゲート抵抗を100Ωにして各ゲートに掛かる電圧波形だけを確かめた。

次は、2個のバッテリーで±１２VをパワーMOSFETに印加して、Hブリッジの負荷を５Ω５０Wの抵抗を2個直列にして接続すると電流は、2.4A、消費電力は57.6W位いになるので、出力波形を確認してみたい。